IGBT 技術研發與產業化創新團隊
為突破 IGBT 關鍵技術、結束 IGBT 產品長期依賴進口的局面，該團隊負責人劉國友2010 年受命成立功率半導體海外研發中心，組建一支專門從事IGBT基礎核心前沿技術研發的團隊，成員包含設計、工藝和應用工程師等研發人員，專業領域覆蓋材料、微電子、半導體物理等學科，目前已形成 100人以上、高端人才匯聚的研發團隊。在院士領銜、團隊負責人帶領下，本團隊研發的 IGBT 領域新產品、新工藝，特別是新一代高功率密度 IGBT 芯片與模塊關鍵技術，已達到國際先進水平，產品與國際同類產品相當。十二五期間 ，團隊承擔國家 02 專項、“863”計劃、國家發改委專項等 10 余項國家級項目，先后完成軌道交通用 3300VIGBT 芯片及模塊、3300V-6500V 高功率密度 IGBT 芯片及模塊的研究開發，達到國際先進水平并實現批量應用。團隊核心成員在 IGBT 技術領域申報專利 50 余項，在國內外核心期刊和國際會議發表論文 30 余篇，獲得省部級及以上科技進步獎 7 項，形成一整套具有自主知識產權的 IGBT 芯片及其模塊“設計—工藝—應用”產業化技術，徹底打破國外的技術封鎖與產品壟斷。通過集成創新，本團隊支撐建成國內領先、國際一流的 8 英寸 IGBT 芯片線及其自動化的模塊封裝線。該團隊研究技術成果達到國際先進水平并實現批量應用，迫使國外產品多次大幅降價，徹底擺脫軌道交通、智能電網等戰略性新興產業對國外核心器件的依賴，確保國家安全與國民經濟健康發展。
該團隊2015年入選國家創新人才推進計劃重點領域創新團隊。
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京公網安備 11040102700028號
